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  • 場地優(yōu)勢

    湖北新為光微電子有限公司的廠區(qū)建筑面積達100000平方米，位于東湖高新區(qū)國家自主創(chuàng)新示范區(qū)(在建廠區(qū)地址：武漢市東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)九龍湖街9號)。

  • 技術(shù)優(yōu)勢

    湖北新為光微電子有限公司擁有350nm及以上工藝節(jié)點6/8 inch SiC/GaN、4/6 inch InP/GaAs及芯片生產(chǎn)線和相關(guān)配套設(shè)施。同時擁有頂尖的專業(yè)檢測平臺，具備晶體材料分析，芯片級測試，器件失效分析的能力，并預(yù)留其他先進化合物半導(dǎo)體工藝開發(fā)、制造能力。以及聚焦化合物半導(dǎo)體前端工藝流片和相關(guān)先進封裝技術(shù)。

  • 人才優(yōu)勢

    湖北新為光微電子有限公司匯集了全國各地的優(yōu)秀工藝技術(shù)團隊，團隊成員從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域多年，具備超凡的職業(yè)素養(yǎng)，且具有過硬的技術(shù)水平。公司擁有精細的制造工藝流程和嚴格的生產(chǎn)管理制度，以行業(yè)一流的技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝和質(zhì)量水平要求自身。致力于為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和快速高效的服務(wù)。